IRFHM8228TRPBF
IRFHM8228TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM8228TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13402 Pieces
Scheda dati:
IRFHM8228TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 34W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFHM8228TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1667pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta)
Email:[email protected]

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