IRFH7004TR2PBF
IRFH7004TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH7004TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14446 Pieces
Scheda dati:
IRFH7004TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):156W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-VQFN Exposed Pad
Altri nomi:IRFH7004TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH7004TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6419pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:194nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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