IRFH7185TRPBF
IRFH7185TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH7185TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18414 Pieces
Scheda dati:
IRFH7185TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.6V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:FASTIRFET™, HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 160W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFH7185TRPBFTR
SP001566602
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFH7185TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2320pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 19A (Ta) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta)
Email:[email protected]

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