IRFH7932TR2PBF
IRFH7932TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH7932TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17147 Pieces
Scheda dati:
IRFH7932TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6) Single Die
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.4W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH7932TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH7932TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4270pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 104A (Tc)
Email:[email protected]

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