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IRFD224PBF
- Modello di prodotti:
- IRFD224PBF
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18658 Pieces
- Scheda dati:
- IRFD224PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFD224PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFD224PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 380mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRFD224PBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFD224PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 630mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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