NTD6600N
NTD6600N
Modello di prodotti:
NTD6600N
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15533 Pieces
Scheda dati:
NTD6600N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:146 mOhm @ 6A, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD6600N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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