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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTP80N10T
IXTP80N10T
IXTP80N10T
Modello di prodotti:
IXTP80N10T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13233 Pieces
Scheda dati:
IXTP80N10T.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:TrenchMV™
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):230W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTP80N10T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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