IRF8852TRPBF
Modello di prodotti:
IRF8852TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14805 Pieces
Scheda dati:
IRF8852TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.3 mOhm @ 7.8A, 10V
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:IRF8852TRPBFTR
SP001563834
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF8852TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1151pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A
Email:[email protected]

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