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VQ1001P
- Modello di prodotti:
- VQ1001P
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17475 Pieces
- Scheda dati:
- VQ1001P.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per VQ1001P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per VQ1001P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 14-DIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | - |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | VQ1001P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 4 N-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VQ1001P
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