QS8J4TR
QS8J4TR
Modello di prodotti:
QS8J4TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13960 Pieces
Scheda dati:
1.QS8J4TR.pdf2.QS8J4TR.pdf3.QS8J4TR.pdf4.QS8J4TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max:550mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:QS8J4TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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