IRF6811STRPBF
IRF6811STRPBF
Modello di prodotti:
IRF6811STRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17831 Pieces
Scheda dati:
IRF6811STRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 35µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ SQ
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 32W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric SQ
Altri nomi:IRF6811STRPBF-ND
IRF6811STRPBFTR
SP001530224
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF6811STRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1590pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 74A (Tc)
Email:[email protected]

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