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IRF6810STRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6810STRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N CH 25V 16A S1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14814 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6810STRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6810STRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6810STRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET S1 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric S1 |
| Altri nomi: | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF6810STRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1038pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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