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IRF6898MTR1PBF
- Modello di prodotti:
- IRF6898MTR1PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19843 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6898MTR1PBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MX |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MX |
| Altri nomi: | IRF6898MTR1PBFTR SP001523898 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6898MTR1PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5435pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 35A (Ta), 213A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Ta), 213A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRF6898MTR1PBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRF6811STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | Inchiesta |
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IRF6898MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET | Inchiesta |
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IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | Inchiesta |
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IRF6894MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | Inchiesta |
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IRF6811STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | Inchiesta |
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