IRF6646TRPBF
IRF6646TRPBF
Modello di prodotti:
IRF6646TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19372 Pieces
Scheda dati:
IRF6646TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.9V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MN
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MN
Altri nomi:IRF6646TRPBFTR
SP001564784
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF6646TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2060pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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