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IRF6641TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6641TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17506 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6641TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6641TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6641TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.9V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MZ |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MZ |
| Altri nomi: | IRF6641TRPBF-ND IRF6641TRPBFTR SP001559700 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF6641TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2290pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.6A (Ta), 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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