IPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFDFKSA1
Modello di prodotti:
IPW65R660CFDFKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18935 Pieces
Scheda dati:
IPW65R660CFDFKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO247-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):62.5W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:IPW65R660CFD
IPW65R660CFD-ND
SP000861700
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IPW65R660CFDFKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 700V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Tensione drain-source (Vdss):700V
Descrizione:MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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