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IPW65R190CFDAFKSA1
- Modello di prodotti:
- IPW65R190CFDAFKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13319 Pieces
- Scheda dati:
- IPW65R190CFDAFKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 700µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO247-3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 151W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | SP000928268 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPW65R190CFDAFKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPW65R190CFDAFKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | Inchiesta |
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IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Inchiesta |
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IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Inchiesta |
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IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | Inchiesta |
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IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | Inchiesta |
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IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | Inchiesta |
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