IPW65R099C6FKSA1
IPW65R099C6FKSA1
Modello di prodotti:
IPW65R099C6FKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15192 Pieces
Scheda dati:
IPW65R099C6FKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO247-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:99 mOhm @ 12.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):278W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:SP000896396
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPW65R099C6FKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2780pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:127nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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