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IPT60R080G7XTMA1
- Modello di prodotti:
- IPT60R080G7XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18863 Pieces
- Scheda dati:
- IPT60R080G7XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 490µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-HSOF-8 |
| Serie: | CoolMOS™ G7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 167W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerSFN |
| Altri nomi: | SP001615904 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPT60R080G7XTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1640pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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