IPD50R800CEATMA1
IPD50R800CEATMA1
Modello di prodotti:
IPD50R800CEATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14622 Pieces
Scheda dati:
IPD50R800CEATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 130µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™ CE
Rds On (max) a Id, Vgs:800 mOhm @ 1.5A, 13V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD50R800CEATMA1-ND
IPD50R800CEATMA1TR
SP001117710
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IPD50R800CEATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):13V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N CH 500V 5A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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