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IPD50R800CE
- Modello di prodotti:
- IPD50R800CE
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N CH 500V 5A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16992 Pieces
- Scheda dati:
- IPD50R800CE.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD50R800CE, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD50R800CE via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
| Dissipazione di potenza (max): | 40W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD50R800CEDR IPD50R800CEDR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD50R800CE |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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