IPT60R150G7XTMA1
Modello di prodotti:
IPT60R150G7XTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16175 Pieces
Scheda dati:
IPT60R150G7XTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 260µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-HSOF-8
Serie:CoolMOS™ G7
Rds On (max) a Id, Vgs:150 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):106W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerSFN
Altri nomi:IPT60R150G7XTMA1DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IPT60R150G7XTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:902pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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