IPI08CNE8N G
IPI08CNE8N G
Modello di prodotti:
IPI08CNE8N G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15007 Pieces
Scheda dati:
IPI08CNE8N G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 130µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.4 mOhm @ 95A, 10V
Dissipazione di potenza (max):167W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000208927
SP000680708
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPI08CNE8N G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6690pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:99nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione drain-source (Vdss):85V
Descrizione:MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Tc)
Email:[email protected]

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