HUFA76409D3ST
HUFA76409D3ST
Modello di prodotti:
HUFA76409D3ST
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17893 Pieces
Scheda dati:
HUFA76409D3ST.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:63 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):49W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:HUFA76409D3ST-ND
HUFA76409D3STTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:HUFA76409D3ST
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:485pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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