FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM
Modello di prodotti:
FDD7N60NZTM
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15365 Pieces
Scheda dati:
FDD7N60NZTM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:UniFET-II™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD7N60NZTM-ND
FDD7N60NZTMTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD7N60NZTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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