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IPD65R950CFDBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD65R950CFDBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14853 Pieces
- Scheda dati:
- IPD65R950CFDBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 36.7W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD65R950CFDBTMA1TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPD65R950CFDBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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