FQP9P25
Modello di prodotti:
FQP9P25
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17493 Pieces
Scheda dati:
1.FQP9P25.pdf2.FQP9P25.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:620 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):120W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FQP9P25-ND
FQP9P25FS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQP9P25
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1180pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 250V 9.4A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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