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ES6U42T2R
- Modello di prodotti:
- ES6U42T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17608 Pieces
- Scheda dati:
- ES6U42T2R.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per ES6U42T2R, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ES6U42T2R via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WEMT |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ES6U42T2R |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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