FQP27N25
Modello di prodotti:
FQP27N25
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15654 Pieces
Scheda dati:
1.FQP27N25.pdf2.FQP27N25.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 12.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):180W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:FQP27N25
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 25.5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25.5A (Tc)
Email:[email protected]

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