AON7202_101
Modello di prodotti:
AON7202_101
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14582 Pieces
Scheda dati:
AON7202_101.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN-EP (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-VDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AON7202_101
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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