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TPS1100DG4
- Modello di prodotti:
- TPS1100DG4
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19426 Pieces
- Scheda dati:
- TPS1100DG4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 791mW (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPS1100DG4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.45nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 15V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 15V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TPS1100DG4
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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TPS1100PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | Inchiesta |
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TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | Inchiesta |
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TPS1101PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | Inchiesta |
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TPS1101DRG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
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TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
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