FMM110-015X2F
Modello di prodotti:
FMM110-015X2F
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17232 Pieces
Scheda dati:
FMM110-015X2F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS i4-PAC™
Serie:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 55A, 10V
Potenza - Max:180W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:i4-Pac™-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FMM110-015X2F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:53A
Email:[email protected]

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