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EM6M2T2R
- Modello di prodotti:
- EM6M2T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15408 Pieces
- Scheda dati:
- EM6M2T2R.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EM6M2T2R, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EM6M2T2R via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | EM6M2T2R |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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