FDR8508P
Modello di prodotti:
FDR8508P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14252 Pieces
Scheda dati:
FDR8508P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-8
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:52 mOhm @ 3A, 10V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Gull Wing
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDR8508P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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