ZXMHC6A07N8TC
ZXMHC6A07N8TC
Modello di prodotti:
ZXMHC6A07N8TC
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14027 Pieces
Scheda dati:
ZXMHC6A07N8TC.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 1.8A, 10V
Potenza - Max:870mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMHC6A07N8DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:ZXMHC6A07N8TC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:166pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.39A, 1.28A
Email:[email protected]

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