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FDR858P
- Modello di prodotti:
- FDR858P
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16088 Pieces
- Scheda dati:
- FDR858P.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDR858P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDR858P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SuperSOT™-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 19 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Gull Wing |
| Altri nomi: | FDR858P-ND FDR858PTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDR858P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2010pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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