FDMC6675BZ
FDMC6675BZ
Modello di prodotti:
FDMC6675BZ
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15129 Pieces
Scheda dati:
FDMC6675BZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:14.4 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMC6675BZTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:21 Weeks
codice articolo del costruttore:FDMC6675BZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2865pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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