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VP1008B
- Modello di prodotti:
- VP1008B
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12356 Pieces
- Scheda dati:
- VP1008B.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per VP1008B, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per VP1008B via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | VP1008B |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 790mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V .79A TO-205 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 790mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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