IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1
Modello di prodotti:
IPD800N06NGBTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19502 Pieces
Scheda dati:
IPD800N06NGBTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 16µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):47W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD800N06N G
IPD800N06N G-ND
IPD800N06NGINTR
IPD800N06NGINTR-ND
IPD800N06NGXT
SP000204179
SP000443764
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPD800N06NGBTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 16A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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