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IPD80N04S306BATMA1
- Modello di prodotti:
- IPD80N04S306BATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CHANNEL_30/40V
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16023 Pieces
- Scheda dati:
- IPD80N04S306BATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Serie: | * |
|---|---|
| Altri nomi: | SP000486946 |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD80N04S306BATMA1 |
| Descrizione espansione: | |
| Descrizione: | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD80N04S306BATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK | Inchiesta |
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IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 | Inchiesta |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A TO252 | Inchiesta |
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IPD80R2K8CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A DPAK | Inchiesta |
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IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 | Inchiesta |
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IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK | Inchiesta |
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