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BSO615N
- Modello di prodotti:
- BSO615N
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17219 Pieces
- Scheda dati:
- BSO615N.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSO615N, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSO615N via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | BSO615NINTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | BSO615N |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
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