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BSO612CV
- Modello di prodotti:
- BSO612CV
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18074 Pieces
- Scheda dati:
- BSO612CV.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSO612CV, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSO612CV via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | P-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | BSO612CVINTR SP000012292 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BSO612CV |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSO612CV
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Inchiesta |
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 | Inchiesta |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | Inchiesta |
|
BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Inchiesta |
 |
APTM100DSK35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Inchiesta |
|
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | Inchiesta |
 |
SLA5037 | Sanken | MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP | Inchiesta |
|
BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | Inchiesta |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | Inchiesta |
|
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | Inchiesta |
|
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Inchiesta |
|
BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Inchiesta |
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