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BSO612CVGHUMA1
- Modello di prodotti:
- BSO612CVGHUMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17842 Pieces
- Scheda dati:
- BSO612CVGHUMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSO612CVGHUMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSO612CVGHUMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | BSO612CV G BSO612CV G-ND BSO612CVGINTR BSO612CVGINTR-ND BSO612CVGT BSO612CVGXT BSO612CVT BSO612CVXTINTR BSO612CVXTINTR-ND SP000216307 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSO612CVGHUMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSO612CVGHUMA1
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