BSO303PNTMA1
BSO303PNTMA1
Modello di prodotti:
BSO303PNTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18208 Pieces
Scheda dati:
BSO303PNTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:P-DSO-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:21 mOhm @ 8.2A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSO303PNTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1761pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:72.5nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.2A
Email:[email protected]

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