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BSL316CH6327XTSA1
- Modello di prodotti:
- BSL316CH6327XTSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14225 Pieces
- Scheda dati:
- BSL316CH6327XTSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 3.7µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSOP6-6 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 160 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | BSL316CH6327XTSA1-ND BSL316CH6327XTSA1TR SP001101010 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSL316CH6327XTSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 282pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel Complementary |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A, 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSL316CH6327XTSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NX3008CBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V SOT666 | Inchiesta |
 |
AO9926BL_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 8SOIC | Inchiesta |
 |
BSL315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 | Inchiesta |
 |
AON5802A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN | Inchiesta |
 |
CSD85302L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A | Inchiesta |
 |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Inchiesta |
|
BSL316CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 | Inchiesta |
|
SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | Inchiesta |
|
BSL314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | Inchiesta |
|
BSL314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | Inchiesta |
 |
APTM120DU15G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | Inchiesta |
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