AON5802A
AON5802A
Modello di prodotti:
AON5802A
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19052 Pieces
Scheda dati:
1.AON5802A.pdf2.AON5802A.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN-EP (2x5)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Potenza - Max:1.7W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Altri nomi:785-1134-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AON5802A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1115pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.2A
Email:[email protected]

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