AON5810
AON5810
Modello di prodotti:
AON5810
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16107 Pieces
Scheda dati:
1.AON5810.pdf2.AON5810.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN-EP (2x5)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Potenza - Max:1.6W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AON5810
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.7A
Email:[email protected]

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