BS7067N06LS3G
BS7067N06LS3G
Modello di prodotti:
BS7067N06LS3G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14123 Pieces
Scheda dati:
BS7067N06LS3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 35µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:BS7067N06LS3GINTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BS7067N06LS3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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