AOD3N80
AOD3N80
Modello di prodotti:
AOD3N80
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19295 Pieces
Scheda dati:
1.AOD3N80.pdf2.AOD3N80.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:785-1620-2
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOD3N80
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 2.8A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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