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APTM100U13SG
- Modello di prodotti:
- APTM100U13SG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 65A J3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14709 Pieces
- Scheda dati:
- APTM100U13SG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 10mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 145 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1250W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | J3 Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM100U13SG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 31600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2000nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 65A 1250W (Tc) Chassis Mount Module |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 65A J3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM100U13SG
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